某24V直流LED驱动灯盘辐射整改案例
前言：由于目前的交流LED的相对过于集中的封装方式，并且封装又要很好的散热材料更又要高绝缘性，从市电几百伏高压处理起来，封装成本会高居不下，同时不利于利于散热设计。由于交流电压是正弦波，所以流过LED的电流也是正弦波纹波，相对于直流供电LED驱动转换效率那么高。鉴于这些因素，现在直流LED驱动做出认证的也越来越多。EUT描述：
（1）此直流LED驱动采用HV9912控制芯片工作在Boost状态，采用官方推荐工作频率值以及其它相关参数。upertex生产的HV9912升压变换器控制器的集成电路是一个闭环与峰值电流控制、开关模式变换器的LED驱动器。HV9912的内置功能克服了变换器的缺点，特别地，它有一个“切断MOSFET”驱动的输出端。当短路或输入过电压时，由这个输出驱动的外置MOSFET可以切断LED串。这个“切断MOSFET”还可以极大地提高变换器的PWM调光响应速度。
（2）此直流LED驱动在EMI处理方面，主要分别采用输入、输出添加两颗电容0.1uf、1uf塑胶电容滤波处理。
（3）结构采用铁壳全屏蔽，LED灯盘采用串联分段。（铁壳两边耳朵连接处，涂漆绝缘层未处理）
不合格描述：
在空间辐射测试时出现100MHz曲线超出FCC part 15 Subpart B - Unintentional Radiators辐射限值20dB之多，曲线参阅下图：
整改思路：
因为是DC Boost藉由着有着PWM斩波控制等关系着EMI噪声源的关键源头，所以在整改分析时，主要对IC Pin3 Gate-〉MOS-〉L-〉D这部分的处理。以及其它的线材、结构、电路滤波器方面去分析定位整改。
针对上述问题添加如下整改方案：
（1）对二极管D整流输出串联一颗相应规格电流的高阻抗磁珠滤波。（因为是100MHz频率，所以用Bead磁珠去吸收EMI电磁波效果会比较好）
（2）在对输出的两个电容中间再次串联一颗相应规格电流的高阻抗磁珠以组成PI型滤波器，这样将有更好的滤波效能。
（3）对MOS的D极至L之间对GND串联一组RC Snubber进行EMI源头处理。
（4）对此PCB外部铁壳的两边耳朵螺丝连接处，进行除漆处理，使其良好接触，具有更好的屏蔽效能。
（5）对输出驱动连接至LED灯盘的连线进行优化处理，减少近场感应，或添加共模抑制器件。
添加如上整改方案后，测试数据如下：
顶楼主啦..希望楼主多发精品好帖啦..... {:3_41:}學習學習
。。。。对这贴很无语。。。 EMC遇到问题，过来学习一下 看看，谢谢。。 參考 研究一下 不错，学习，刚入门到门外{:soso_e142:}{:soso__18075307792541942848_4:} {:3_41:}感谢分享！ 多谢大家的鼓励！
您的鼓励将是我继续分享的动力。
页:
[1]
2
