氮化镓（GaN）器件正快速取代传统硅器件，成为高频、高功率密度电源的首选。但频率更高 ≠ EMC更容易。EMC问题成为GaN电源设计的关键瓶颈！ 📌 为什么GaN电源更容易产生EMC问题？
1️⃣ 高频器件选型阶段 ✔ 优先选择dv/dt控制能力强的GaN芯片 ✔ 注意驱动器上升沿控制特性 ✔ 注意是否集成Snubber、电荷平衡电路 2️⃣ PCB布局与接地 ✔ 缩短开关回路面积，最小化di/dt回路 ✔ 信号地、功率地合理隔离 ✔ 优先布置小回路、大接地铜皮 4️⃣ 屏蔽与外壳处理 ✔ 对高dv/dt节点进行局部屏蔽 ✔ 外壳接地良好，注意缝隙辐射控制 ✔ 高频干扰路径需要结构隔断 🧪 整改思路小贴士： ✅ 传导超标？→ 检查输入滤波设计是否压得住100kHz~30MHz段 ✅ 辐射超标？→ 聚焦开关环路耦合路径、时钟源、长线缆干扰 ✅ 高频尖峰？→ Gate驱动器设计 + Snubber + RC钳位组合出击 🌟 GaN时代的EMC，不是不能做，而是要会做！ 从系统电磁兼容性视角切入，才能真正发挥GaN器件的效率优势，同时让产品顺利通过EMC测试！ 氮化镓（GaN）器件电源EMC设计指导 下载链接：https://www.emc.wiki/thread-19148-1-1.html |
