| 什么是电子束光刻？ 电子束光刻（e-beam lithography；EBL）是无掩膜光刻的一种，它利用波长极短的聚焦电子直接作用于对电子敏感的光刻胶（抗蚀剂）表面绘制形成与设计图形相符的微纳结构。 电子束光刻系统有着超高分辨率（极限尺寸＜10nm的图形转印）和灵活作图（可直写无需掩模）的优点，但因曝光效率低，控制复杂，致使电子束光刻更多应用于制作光刻掩模板、先进的原理样机和纳米级的科学研究及开发。
电子束光刻系统的核心是聚焦电子束，而聚焦电子束的应用从20世纪初期就开始了，最早期的应用就是阴极射线管在显示器中的应用，然后在20世纪60年代出现的扫描电子显微镜的出现，扫描电子显微镜的结构已经与电子束曝光机无本质区别了。但是利用聚焦电子束曝光产生精细图形是伴随着电子束光刻胶（抗蚀剂）的出现开始的。电子束光刻的发展已经有60多年的历史了，他几乎是与光学曝光同步发展起来的，主要标志性的时间有下面几条：
理论基础 光刻是利用光辐照聚合物产生的变化形成图形，光学曝光的分辨率受光波长的限制，为了提高光学曝光的分辨率，光波的选择经历了从G线到I线，深紫外，极紫外不断缩短的发展过程。 电子束本质上是带电粒子，根据波粒二象性理论，其波长为：
电子束与紫外光一样能使一些聚合物产生化学键断裂或者交联反应，从而在显影过程中形成对应的图形，且一些紫外光刻胶本身就能当做电子束光刻胶使用，所以二者在本质上没有太大区别，为了区分，我们有时候也将电子束光刻胶叫做抗蚀剂。但是由于电子束在于物质的响作用时产生的散射会导致其作用过程比紫外光刻复杂的多。 |
