按扫描方式分为 分为光栅扫描（raster scan）和矢量扫描（vector scan）
按电子束形状分为 分为高斯束（圆形束）和变形电子束（矩形束）
矢量扫描模式下，图形的曝光时间与束斑投射次数有关，在固定高斯束（圆形束）斑模式下，我们需要进行 24 次投射。 为了加快曝光速率，图形可分解为最小基本图形的组合，以最小基本图形作为电子束斑的形状。在这种修正束斑模式下只需要 6次投射就可以了。 但是在实际生产过程中图形不是一成不变的，需要经常重设基本束斑形状，因此需要一种更加灵活的投射方式。一种束斑可变的模式能够应用于图形多样化的情况。如下图所示，在可变束斑模式下，电子束斑可根据具体的图形进行调整，改变束斑的基本形状，将投射次数减少到了 3 次。 电子束光刻胶介绍 光刻胶 (Photoresist；又称光致抗蚀剂 )是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、Ｘ射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。 电子束光刻胶通常分为正性光刻胶和负性光刻胶，可以根据光刻胶照射后，交联反应或化学键断裂谁占主导地位进行划分。光刻胶正负特性并非绝对，例如电子束正胶PMMA在10倍正常曝光剂量时，曝光区域的胶碳化，导致在显影过程中残留下来，其特性可以作为负胶使用。 领近效应 电子束曝光的邻近效应，是当两个曝光图形相近时，由于电子在光刻胶和衬底中受到散射使电子偏离原来的入射方向，导致原来不应曝光的邻近区域被曝光了，而有些应该曝光的区域又得不到足够的曝光，导致曝光图形发生畸变。带来对比度降低、分辨率下降等问题。 校正方式 邻近效应校正有三种方法：①剂量校正 ②图形尺寸补偿 ③背景曝光补偿
最简单有效减少邻近效应的方法就是提高电子束能量和减少电子束光刻胶厚度，但需考虑到高电子束能量可能对基底造成损伤和过热。
高精度掩模板：电子束光刻由于其分辨率高和直写式的特点在集成电路高精度掩模制造领域有着广泛的应用。 光电领域，如电子及光电芯片打样与小批量生产，衍射光栅、二元光学、微纳光学（微透镜阵列、光波导）及超表面透镜等行业的小批量生产，特种光电器件定制。 |
