EBL（Electron Beam Lithography，电子束曝光系统）与 NBL（Nano Beam Lithography，纳米束曝光系统）其实都是电子束光刻技术的分支，核心原理相同，但侧重点和应用略有差异。下面是两者的区别： 
✅ 1. 名称与侧重| 项目 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 全称 | Electron Beam Lithography | Nano Beam Lithography | | 中文名 | 电子束光刻/电子束曝光系统 | 纳米束光刻/纳米束曝光系统 | | 名称侧重 | 强调“电子束”技术整体 | 强调“纳米级”高分辨率、精细结构 |
✅ 2. 原理和技术| 项目 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 原理 | 利用电子束逐点曝光感光材料，形成图形 | 基于电子束，优化了电子光学系统以实现极限纳米图形 | | 技术焦点 | 通用电子束光刻技术，分辨率高 | 强化“高分辨率”和“高精度纳米加工”能力 | | 工艺对象 | 常规纳米加工、光罩制作、微纳结构 | 超高分辨率的极限纳米结构、科研应用 |
✅ 3. 分辨率与性能差别| 项目 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 分辨率 | 高，通常几纳米 | 极高，部分系统接近1纳米，针对亚纳米结构设计 | | 电子束尺寸 | 数纳米~几十纳米 | 数纳米甚至更小 | | 典型应用尺寸 | 10~100 nm级别 | 1~20 nm极限尺寸 |
✅ 4. 应用差异| 项目 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 主要用途 | 半导体、光罩、MEMS、光子器件、纳米器件等 | 纳米线、量子器件、极限纳米孔、先进材料实验等极端纳米尺度结构 | | 使用场景 | 实验室、光罩工厂、半导体研发 | 先进实验室、科研机构、极限物理研究 |
✅ 5. 设备侧重点| 项目 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 设备侧重 | 通用型，分辨率高、灵活性强 | 专业型，极限分辨率、极高稳定性与精度 |
✅ 总结对比| 关键差别 | EBL电子束曝光系统 | NBL纳米束曝光系统 | | 本质 | 都是电子束光刻技术 | | | 分辨率 | NBL优于EBL（更小） | | | 应用 | NBL用于更极端的纳米级科研 | | | 市场常用 | EBL更普及，应用范围广 | |
🎯 一句话总结： | 
