可控硅功率控制导致EMI传导干扰，怎么处理？

2021-9-2 16:38| 发布者: 曾工| 查看: 12722| 评论: 1|原作者: 曾工|来自: 电磁兼容网

摘要: 很多电子电器设备，里面用了可控硅调功率（包括整流器、逆变器、功率控制器等），这是一个最主要的谐波源，因为可控硅会硬开关斩断这个交流电，使电网的电压与电流波形产生畸变，同样会产生高次谐波，产生强大的传导 ...

很多电子电器设备，里面用了可控硅调功率（包括整流器、逆变器、功率控制器等），这是一个最主要的谐波源，因为可控硅会硬开关斩断这个交流电，使电网的电压与电流波形产生畸变，同样会产生高次谐波，产生强大的传导干扰，谐波干扰。

MOC3063，MOC3041，TLP363J是三款过零型双向可控硅输出光耦，内置过零检测模块，它在收到输入端的控制信号时，并不马上开启双向可控硅模块，而是等到“过零”后才触发双向可控硅进行导通，可选择4PIN或6PIN。

	MOC3063	MOC3041	TLP363J
封装	DIP-6	DIP-6	DIP-4
触发电流	5 mA	15 mA	10 mA
耐压	600V	400V	600V
隔离能力	5000Vrms	5000Vrms	5000Vrms

过零控制，MOC3063，过零光耦 MOC3063

从上图可知，3脚与5脚是闲置的，因此它6PIN中的这两个脚去掉就可以封装成4PIN了。还可看出，它与门级直接做成光接收模块的任意电平启动的双向可控硅光耦不一样，它的门极由零交叉电路控制，收到LED发出的光以后并不直接输出一个信号去开启双向可控硅，零交叉电路的输出受LED与电源电压的控制，只有在受到LED的信号后，等待至电源电压过零点时才发出触发信号，双向可控硅收到触发信号，在过零后进行开启。